국내 연구팀, 차세대 메모리 반도체 원천기술 세계 첫 개발

백재현기자 brian@inews24.com
2005년 12월 08일

정보의 쓰기와 지우기에 걸리는 시간을 대폭 줄이고, 수명도 크게 늘린 차세대 메모리 반도체 원천기술이 국내 연구팀에 의해 세계 처음으로 개발됐다.

이에따라 테라비트급 고용량 차세대 메모리 반도체의 상용화 시기를 최소 2~3년 앞당길 것으로 예상돼 국내 반도체 산업 위상이 높아질 것으로 기대된다.

8일 산업자원부에 따르면 광주 과학기술원(KAIST) 황현상 교수팀은 저항변화 메모리(ReRAM) 소자의 핵심 원천기술을 개발, 7일(현지시간) 미국 워싱턴DC 국제전기전자소자회의에서 발표될 예정이다.

황 교수팀이 개발한 것은 단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3)라는 물질과 이 물질의 고유 특성이 유지되도록 하는 표면처리공정이다.

이 기술을 이용하면 반도체에 정보를 쓰고 지우는데 걸리는 시간을 현재의 플레시메모리에 비해 20배 가량 단축시킬 수 있다는 것이 산자부의 설명이다. 또 쓰고 지우는 횟수가 현재의 플래시메모리의 경우 십만번이 가능하지만 이 기술을 이용하면 천만번까지 가능하다고 덧붙였다.

황 교수팀이 개발한 물질과 공정은 미국 IBM, 일본 샤프, 국내 삼성전자 등에서도 추진중이지만 아직까지 실용화가 가능한 수준의 연구실적은 전무하다고 산자부는 밝혔다.

이 기술은 현재 국내에서 2건의 특허가 출원됐으며, 미국, 일본 등 해외 특허도 출원을 준비하고 있다.

한 편 산자부는 지난해 7월부터 오는 2011년 7월 말까지 수백기가 이상 대용량의 차세대 비휘발성 메모리를 개발하는 종합적인 국가연구개발 프로젝트를 추진중인데, 이를 통해 테라비트급 나노 플로팅 게이트 메모리(NFGM), 폴리머 메모리(PoRAM), 저항변화 메모리(ReRAM) 등을 개발하고 있다.

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