삼성전자 2기가 퓨전 메모리 첫 개발

'원낸드' 쓰기 속도 2배 빨라

삼성전자가 세계 처음으로 2기가비트(Gb)급 퓨전 메모리를 개발했다.

삼성전자는 60나노의 초미세 공정을 적용해 낸드 플래시, 에스(S)램 및 논리회로 구동칩(로직)을 하나의 칩에 집적한 2기가급 원낸드 반도체(사진)를 개발했다고 27일 밝혔다. 원낸드 메모리의 기존 최대용량은 올 초에 선보인 70나노 공정의 1기가급이었다.

원낸드 메모리는 읽기 속도가 빠른 노어 플래시의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 이른바 ‘퓨전 반도체’로, 삼성전자가 차세대 메모리 사업의 주력으로 키우고 있는 분야다.

이번에 개발된 2기가 원낸드 제품은 기존 1기가 원낸드에 견줘 처리 용량이 두배 늘어나 쓰기 속도가 초당 9.3메가바이트에서 17메가바이트로 2배 가까이 빨라졌다. 특히 칩을 최대 8개까지 쌓을 수 있어 초당 136메가바이트까지 쓰기 속도를 끌어올릴 수 있다. 이는 1초 안에 MP3 파일에 수록된 음악 35곡 분량이나 일간지 10개월치 분량의 정보를 한꺼번에 처리할 수 있는 수준이다. 삼성전자는 곧 노트북의 하드디스크를 대체할 하이브리드 하드디스크 드라이브(HDD)에 적용해 상용화에 나설 계획이다.

홍대선 기자 hongds@hani.co.kr


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